檢索結果：共9筆資料 檢索策略： "黃柏仁".ccommittee (精準) and year="111"
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本研究聚焦以 α-氮化碳 (Alpha carbon nitride, α-C3N4) 作為介電層，應用於雙極電阻式記憶體 (Bipolar Resistive Random Access …
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本研究分為兩個部分，第一部分為使用反應式濺鍍法(Reactive sputtering)沉積摻釩之類鑽碳薄膜(V-DLC)，透過改變工作壓力調整V-DLC薄膜的表面形貌和結構，藉由SEM、R…
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本研究以二硫化錸(Rhenium disulfide, ReS2)薄膜為介電層應用於電阻式記憶體，製作Mo/ReS2/Re及Ag/ReS2/Re元件並比較其在電性、傳導機制與切換機制等方面的差異…
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石墨烯是碳原子依六角形排列之二維材料,具有高電子遷移率、熱傳導度、機械特性與低片電阻等特性,相較於氧化銦錫,單層石墨烯在波長小於 280 nm下依舊維持>90 %之高穿透率,使其成為應用於深紫外光 …
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本研究以石墨烯與二硫化錸為材料製作表面增強拉曼散射之基材(SERS)，本實驗以化學氣象沉積在銅箔上沉積石墨烯，並轉移至300nm之氧化矽基板，以石墨烯或氧化石墨烯為襯底並以化學氣象沉積生長二硫化錸（…
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本研究探討了超奈米鑽石和碳氮化硼複合於碳布上作為超級電容器之應用，並探討退火之後處理對此結構之影響。內文將分為兩個部分，第一部分致力於透過各種不同製程及組成原料做出被視作結構類似於石墨半導體材料的碳…
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